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PDF ( 数据手册 , 数据表 ) OB2269

零件编号 OB2269
描述 Flyback switching power supply applications
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OB2269 数据手册, 描述, 功能
OB2268/OB2269 设计指导
OB2268/OB2269 设计指导
-反激式开关电源应用
一.概要:
随着科学技术日新月异的发展,人们对电源系统的性能要求也不断提高,
OB2268/OB2269 采用独特的设计方案,使您的电源系统具有较高的性价比,满足广大客户
的需求。OB2268/OB2269 采用传统的电流模式结构设
计,其具有如下特性:
▲ 低待机功耗:OB2268/OB2269 通过特别的低功
耗间歇工作模式设计不仅可以让整个系统在空
载的状态下轻易达到国际能源机构最新的推荐
标准,而且允许系统在较轻负载 (1/30 满载
以下) 的情况下同样具有超低耗的性能。
▲无噪声工作:使用 OB2268/OB2269 设计的电源
无论在空载,轻载和满载的情况下都不会产生音
频噪声。优化的系统设计可以使系统任何工作状态下均可安静地工作。
▲ 更低启动电流:OB2268/OB2269 VIN/VDD 启动电流低至 4uA,可有效地减少系统
启动电路的损耗,缩短系统的启动时间。
▲ 更低工作电流:OB2268/OB2269 的工作电流约为 2.3mA,可有效降低系统的损耗,
提高系统的效率。
▲ 内置前沿消隐:内置前沿消隐(LEB),可以为系统节省了一个外部的 R-C 网络,
降低系统成本。
▲ 内置 OCP 补偿:OB2268/OB2269 内置了 OCP 补偿功能,使系统在不需要增加成
本的情况下轻易使得全电压范围内系统的 OCP 曲线趋向平坦,提高系统的性价比。
▲ 完善的保护功能:OB2268/OB2269 集成了较完善的保护功能模块。OVPUVLO
OCP,恒定的 OPP 和外部可调节的 OTP 功能可以使系统设计简洁可靠,同时满足
安规的要求。
MOSFET 软驱动:可有效的改善系统的 EMI
▲ 较少的外围器件:OB2268/OB2269 外围比较简单,可有效提高系统的功率密度,
降低系统的成本。
OB2269 优良的 EMI 特性:OB2269 内置的频率抖动设计可以很有效的改善系统
EMI 特性,同时可以降低系统的 EMI 成本。
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OB_DOC_DG_68690A







OB2269 pdf, 数据表
OB2268/OB2269 设计指导
特别指出的是,OCP 补偿的设计是基于拿掉 R-C 网络设计的,如果设计时系统加入了 R-C
网络,系统的 OCP 补偿特性将受到一定的影响。
5. Gate 端驱动信号输出:
芯片采用图腾结构驱动输出,可直接驱动 MOSFET。同时芯片还内置了一个 18V 的驱动
输出钳位电路,防止由于某种原因导致系统驱动输出电压过高使 MOSFET 的栅极击穿。
为改善系统 EMI,芯片设计时对驱动信号进行了软驱动优化处理。
6. RT 端应用及软启动电路:
6.1 过温保护电路设计:
RT 端可通过外接温度检测电路构成简易的 OTP 保护电路,
常用电路见图 10,图中 R1 起微调作用。OTP 保护方式为自恢复
Auto-recovery)模式。
R1
RT
RT
OB2268/69
GND
RT 端内部连接了一个恒流源,该恒流源提供的电流与芯片
的工作频率成反比,在 RI=100K 时,恒流源提供的电流为 70uA
10 OTP 电路
(典型值),RI=130K 时,恒流源提供的电流约为 53.8uA(典型值)。当因某种因素导致系统内
部温度逐渐上升时,NTC 温度补偿电阻受温度升高的影响,其阻值逐渐降低,从而使 RT 端的电
压逐渐下降,直到 RT 端的电压降到 1.065V(典型值)以下并持续 100uS 后,芯片 Gate 停止驱
动,电源输出关闭,保护整个系统;当系统内部温度逐渐降低时,温度补偿电阻受温度下降的影
响,其阻值逐渐升高,从而使 RT 端的电压逐渐上升,直到 RT 端的电压上升到 1.165V(典型值)
并持续 100uS 后,芯片自动恢复输出,系统恢复正常工作。
由于 NTC 电阻的精度及生产过程中 NTC 电阻检测点的不一致性导致系统的 OTP 点误差较
大,推荐 R1 使用可调电阻,产品在生产时可通过调节该可调电阻阻值来调整系统的 OTP 的精度,
满足不同的客户需求。
6.2 软启动电路:
RT FB 之间可以构成传统的软启动电路,其电路见图 11RT 内部有一个约 70uA(fPWM
= 65KHz)的恒流源,而且其门限电压超过 1V(开环电压为 3.5V)FB 端的最大输出电流 IFBMAX
0.7mA 左右,这保证了软启动电路的可行性。芯片启动后该恒
流源首先打开,开始给电容 C1 充电,这时 RT 两端电压
VR2>0.7VQ1 处于饱和导通状态,VFB0.3VGate 关闭输出;
C1
RT
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随着 C1 充电电流的逐渐减小,C1 两端的电压也逐渐增加,RT RT
FB
两端的电压跟随降低, 当 VR2<0.7V 时,Q1 由饱和导通状态逐
GND
Q1
渐转为截止状态, FB 的电压逐渐上升,直到 VFB>1.0V(典型
)Gate 开始输出,达到软启动的目的。
Rb
7. 动态响应(DNY)的调整:
11 软启动电路
从动态响应的原理来看,系统要具有较快的环路响应特性才能使系统的动态响应特性较
好。通过分析图 12 中的电路,对调整系统的动态响应特性是很有帮助的。
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