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PDF ( 数据手册 , 数据表 ) EG3014

零件编号 EG3014
描述 Power MOS tube / IGBT gate driver chip
制造商 EGmicro
LOGO EGmicro LOGO 


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EG3014 数据手册, 描述, 功能
EG3014芯片数据手册
大功率MOS管、IGBT管栅极驱动芯片
2012 © 上海屹晶微电子有限公司 版权所有
REV 1.0







EG3014 pdf, 数据表
屹晶微电子有限公司
7. 电气特性
EG3014 芯片数据手册 V1.0
大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动芯片
7.1 极限参数
无另外说明,在 TA=25℃条件下
符号
参数名称
自举高端 VB 电源
VB
测试条件
-
最小
-0.3
最大
100
单位
V
高端悬浮地端
VS
-
-0.7
100
V
高端输出
HO
-
-0.3
100
V
低端输出
LO
-
-0.3
35
V
电源
高通道逻辑信号
输入电平
低通道逻辑信号
输入电平
TA
VCC
HIN
LIN
环境温度
-
-0.3
35
V
-
-0.3
35
V
-
-0.3
35
V
- -45 85
Tstr 储存温度
- -65 125
TL
焊接温度
T=10S
- 300
注:超出所列的极限参数可能导致芯片内部永久性损坏,在极限的条件长时间运行会影响芯片的可靠性。
2012 © 屹晶微电子有限公司 版权所有
www.EGmicro.com
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页数 13 页
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零件编号描述制造商
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EG3013Power MOS tube / IGBT gate driver chip tubeEGmicro
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零件编号描述制造商
STK15C88256-Kbit (32 K x 8) PowerStore nvSRAMCypress Semiconductor
Cypress Semiconductor
NJM4556DUAL HIGH CURRENT OPERATIONAL AMPLIFIERNew Japan Radio
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EL1118-G5 PIN LONG CREEPAGE SOP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLEREverlight
Everlight


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