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零件编号 | EG3014 | ||
描述 | Power MOS tube / IGBT gate driver chip | ||
制造商 | EGmicro | ||
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EG3014芯片数据手册
大功率MOS管、IGBT管栅极驱动芯片
2012 © 上海屹晶微电子有限公司 版权所有
REV 1.0
屹晶微电子有限公司
7. 电气特性
EG3014 芯片数据手册 V1.0
大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动芯片
7.1 极限参数
无另外说明,在 TA=25℃条件下
符号
参数名称
自举高端 VB 电源
VB
测试条件
-
最小
-0.3
最大
100
单位
V
高端悬浮地端
VS
-
-0.7
100
V
高端输出
HO
-
-0.3
100
V
低端输出
LO
-
-0.3
35
V
电源
高通道逻辑信号
输入电平
低通道逻辑信号
输入电平
TA
VCC
HIN
LIN
环境温度
-
-0.3
35
V
-
-0.3
35
V
-
-0.3
35
V
- -45 85 ℃
Tstr 储存温度
- -65 125 ℃
TL
焊接温度
T=10S
- 300 ℃
注:超出所列的极限参数可能导致芯片内部永久性损坏,在极限的条件长时间运行会影响芯片的可靠性。
2012 © 屹晶微电子有限公司 版权所有
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页数 | 13 页 | ||
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零件编号 | 描述 | 制造商 |
EG3012 | Power MOS tube / IGBT gate driver chip tube | EGmicro |
EG3013 | Power MOS tube / IGBT gate driver chip tube | EGmicro |
EG3014 | Power MOS tube / IGBT gate driver chip | EGmicro |
零件编号 | 描述 | 制造商 |
STK15C88 | 256-Kbit (32 K x 8) PowerStore nvSRAM | Cypress Semiconductor |
NJM4556 | DUAL HIGH CURRENT OPERATIONAL AMPLIFIER | New Japan Radio |
EL1118-G | 5 PIN LONG CREEPAGE SOP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER | Everlight |
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