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PDF ( 数据手册 , 数据表 ) MT18JSF25672AZ

零件编号 MT18JSF25672AZ
描述 DDR3 SDRAM UDIMM
制造商 Micron Technology
LOGO Micron Technology LOGO 


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MT18JSF25672AZ 数据手册, 描述, 功能
2GB, 4GB, 8GB (x72, ECC, DR) 240-Pin DDR3 UDIMM
Features
DDR3 SDRAM UDIMM
MT18JSF25672AZ – 2GB
MT18JSF51272AZ – 4GB
MT18JSF1G72AZ – 8GB
Features
• DDR3 functionality and operations supported as
defined in the component data sheet
• 240-pin, unbuffered dual in-line memory module
(UDIMM)
• Fast data transfer rates: PC3-14900, PC3-12800,
PC3-10600, PC3-8500, or PC3-6400
• 2GB (256 Meg x 72), 4GB (512 Meg x 72),
8GB (1Gig x 72)
• VDD = 1.5V ±0.075V
• VDDSPD = 3.0–3.6V
• Supports ECC error detection and correction
• Nominal and dynamic on-die termination (ODT) for
data, strobe, and mask signals
• Dual rank
• On-board I2C temperature sensor with integrated
serial presence-detect (SPD) EEPROM
• 8 internal device banks
• Fixed burst chop (BC) of 4 and burst length (BL) of 8
via the mode register set (MRS)
• Selectable BC4 or BL8 on-the-fly (OTF)
• Gold edge contacts
• Halogen-free
• Fly-by topology
• Terminated control, command, and address bus
Figure 1: 240-Pin UDIMM (MO-269 R/C E3)
Module height: 30.0mm (1.181in)
Options
• Operating temperature
– Commercial (0°C TA +70°C)
• Package
– 240-pin DIMM (halogen-free)
• Frequency/CAS latency
– 1.07ns @ CL = 13 (DDR3-1866)
– 1.25ns @ CL = 11 (DDR3-1600)
– 1.5ns @ CL = 9 (DDR3-1333)
– 1.87ns @ CL = 7 (DDR3-1066)
Marking
None
Z
-1G9
-1G6
-1G4
-1G1
Table 1: Key Timing Parameters
Speed Industry
Grade Nomenclature
-1G9
PC3-14900
-1G6
PC3-12800
-1G4
PC3-10600
-1G1
PC3-8500
-1G0
PC3-8500
-80B
PC3-6400
CL =
13
1866
CL =
11
1600
1600
Data Rate (MT/s)
CL =
10 CL = 9 CL = 8 CL = 7
1333 1333 1066 1066
1333 1333 1066 1066
1333 1333 1066 1066
– – 1066 1066
– – 1066 –
––––
CL = 6
800
800
800
800
800
800
CL = 5
667
667
667
667
667
667
tRCD
(ns)
13.125
13.125
13.125
13.125
15
15
tRP
(ns)
13.125
13.125
13.125
13.125
15
15
tRC
(ns)
47.125
48.125
49.125
50.625
52.5
52.5
PDF: 09005aef83606b46
jsf18c256_512_1gx72az.pdf - Rev. H 10/12 EN
1 Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.
© 2009 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
Products and specifications discussed herein are subject to change by Micron without notice.
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MT18JSF25672AZ pdf, 数据表
2GB, 4GB, 8GB (x72, ECC, DR) 240-Pin DDR3 UDIMM
Functional Block Diagram
Functional Block Diagram
Figure 2: Functional Block Diagram
S1#
S0#
DQS0
DQS0#
DM0
DQS1
DQS1#
DM1
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
VSS
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
VSS
DQS2
DQS2#
DM2
DQS3
DQS3#
DM3
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
VSS
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
VSS
DQS8
DQS8#
DM8
CB0
CB1
CB2
CB3
CB4
CB5
CB6
CB7
VSS
BA[2:0]
A[15/14/13:0]
RAS#
CAS#
WE#
CKE0
CKE1
ODT0
ODT1
RESET#
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
U1
DQ
DQ
DQ
DQ
ZQ
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
U19
DQ
DQ
DQ
DQ
ZQ
VSS
DQS4
DQS4#
DM4
DQS5
DQS5#
DM5
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
VSS
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
U6
DQ
DQ
DQ
DQ
ZQ
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
U2
DQ
DQ
DQ
DQ
ZQ
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
U18
DQ
DQ
DQ
DQ
ZQ
VSS
DQS6
DQS6#
DM6
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
VSS
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
U7
DQ
DQ
DQ
DQ
ZQ
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
U3
DQ
DQ
DQ
DQ
ZQ
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
U17
DQ
DQ
DQ
DQ
ZQ
VSS
DQS7
DQS7#
DM7
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
VSS
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
U8
DQ
DQ
DQ
DQ
ZQ
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
U4
DQ
DQ
DQ
DQ
ZQ
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
U16
DQ
DQ
DQ
DQ
ZQ
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
VSS
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
U9
DQ
DQ
DQ
DQ
ZQ
VSS
Rank 0: U1–U9
Rank 1: U11–U19
CK0
CK0#
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
U5
DQ
DQ
DQ
DQ
ZQ
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
U15
DQ
DQ
DQ
DQ
ZQ
U10
Temperature
SCL
sensor/
SPD EEPROM
EVT A0 A1 A2
SA0 SA1 SA2
EVENT#
CK1
CK1#
SDA
BA[2:0]: DDR3 SDRAM
VSS
Clock, command, control, and address line terminations:
A[15/14/13:0]: DDR3 SDRAM
RAS#: DDR3 SDRAM
CAS#: DDR3 SDRAM
WE#: DDR3 SDRAM
CKE0: Rank 0
CKE1: Rank 1
ODT0: Rank 0
CKE[1:0], A[15/14/13:0],
RAS#, CAS#, WE#,
ODT[1:0], BA[2:0],
S#[1:0]
DDR3
SDRAM
DDR3
SDRAM
VDDSPD
VDD
VTT VTT
VREFCA
ODT1: Rank 1
RESET#: DDR3 SDRAM
CK
CK#
VDD
VREFDQ
VSS
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
U14
DQ
DQ
DQ
DQ
ZQ
VSS
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
U13
DQ
DQ
DQ
DQ
ZQ
VSS
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
U12
DQ
DQ
DQ
DQ
ZQ
VSS
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
U11
DQ
DQ
DQ
DQ
ZQ
Rank 0
VSS
Rank 1
Temperature sensor/
SPD EEPROM
DDR3 SDRAM
Command, control, and
address termination
DDR3 SDRAM
DDR3 SDRAM
DDR3 SDRAM
Note: 1. The ZQ ball on each DDR3 component is connected to an external 240Ω ±1% resistor
that is tied to ground. It is used for the calibration of the component’s ODT and output
driver.
PDF: 09005aef83606b46
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MT18JSF25672AZ equivalent, schematic
2GB, 4GB, 8GB (x72, ECC, DR) 240-Pin DDR3 UDIMM
IDD Specifications
Table 16: DDR3 IDD Specifications and Conditions – 8GB (Die Revisions E and J)
Values are for the MT41J512M8 DDR3 SDRAM only and are computed from values specified in the 4Gb (512 Meg x 8) com-
ponent data sheet
Parameter
Symbol 1866 1600 1333 1066 Units
Operating current 0: One bank ACTIVATE-to-PRECHARGE
Operating current 1: One bank ACTIVATE-to-READ-to-PRE-
CHARGE
IDD01
IDD11
720 657 585 558 mA
792 756 720 693 mA
Precharge power-down current: Slow exit
Precharge power-down current: Fast exit
Precharge quiet standby current
Precharge standby current
Precharge standby ODT current
Active power-down current
Active standby current
Burst read operating current
Burst write operating current
Refresh current
Self refresh temperature current: MAX TC = 85°C
Self refresh temperature current (SRT-enabled): MAX TC = 95°C
All banks interleaved read current
Reset current
IDD2P02
IDD2P12
IDD2Q2
IDD2N2
IDD2NT1
IDD3P2
IDD3N2
IDD4R1
IDD4W1
IDD5B1
IDD62
IDD6ET2
IDD71
IDD82
324
666
630
630
540
738
738
1728
1431
1620
360
450
2421
360
324
576
576
576
513
684
684
1575
1287
1557
360
450
2142
360
324
504
504
522
477
630
630
1422
1152
1494
360
450
1872
360
324
468
486
504
450
576
576
1269
1017
1458
360
450
1602
360
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
Notes: 1. One module rank in the active IDD; the other rank in IDD2P0 (slow exit).
2. All ranks in this IDD condition.
PDF: 09005aef83606b46
jsf18c256_512_1gx72az.pdf - Rev. H 10/12 EN
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零件编号描述制造商
MT18JSF25672AZDDR3 SDRAM UDIMMMicron Technology
Micron Technology

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