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零件编号 | P90FG5R5SL | ||
描述 | Power MOSFET ( Transistor ) | ||
制造商 | SHINDENGEN | ||
LOGO | |||
1 Page
Nch PowerMOSFET
P90FG5R5SL
■外観図 OUTLINE
Package:FG
Unit:mm
55V90A
特長
煙面実装タイプ
煙低オン抵抗
煙4.5V駆動
煙低容量
Feature
煙SMD
煙LowRON
煙4.5VGateDrive
煙LowCapacitance
90FG5RSL
000 000
外形図については新電元 Webサイトをご参照下さい。捺印表示については
捺印仕様をご確認下さい。
Fordetailsoftheoutlinedimensions,refertoourweb site.Asforthe
marking,refertothespecification"Marking,TerminalConnection".
■定格表 RATINGS
●絶対最大定格 AbsoluteMaximum Ratings(指定のない場合 Tc=25℃/unlessotherwisespecified)
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
規格値
Ratings
単位
Unit
保存温度
StorageTemperature
チャネル温度
ChannelTemperature
ドレイン・ソース間電圧
Drain-SourceVoltage
ゲート・ソース間電圧
Gate-SourceVoltage
ドレイン電流(直流)
ContinuousDrainCurrent(DC)
ドレイン電流(ピーク)
ContinuousDrainCurrent(Peak)
全損失
TotalPowerDissipation
単発アバランシェ電流
SingleAvalancheCurrent
単発アバランシェエネルギー
SingleAvalancheEnergy
Tstg
Tch
VDSS
VGSS
ID
IDP
PT
IAS
EAS
パルス幅 10μs,duty=1/100
Pulsewidth10µs,duty=1/100
StartingTch=25℃,Tch≦150℃
StartingTch=25℃,Tch≦150℃
-55~150
150
55
±20
90
360
128
52
272
℃
V
A
W
A
mJ
●電気的・熱的特性 ElectricalCharacteristics(指定のない場合 Tc=25℃/unlessotherwisespecified)
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
規格値 Ratings 単位
MIN TYP MAX Unit
ドレイン・ソース間降伏電圧
Drain-SourceBreakdownVoltage
ドレイン遮断電流
ZeroGateVoltageDrainCurrent
ゲート漏れ電流
Gate-SourceLeakageCurrent
順伝達コンダクタンス
ForwardTransconductance
V(BR)DSS ID=1mA,VGS=0V
IDSS VDS=55V,VGS=0V
IGSS VGS=±20V,VDS=0V
gfs ID=45A,VDS=10V
ドレイン・ソース間オン抵抗
RStaticDrain-SourceOn-stateResistance (DS)ON
ID=45A,VGS=10V
ID=45A,VGS=4.5V
ゲートしきい値電圧
GateThresholdVoltage
ソース・ドレイン間ダイオード順電圧
Source-DrainDiodeForwardVoltage
熱抵抗
ThermalResistance
ゲート全電荷量
TotalGateCharge
ゲート・ソース電荷量
GatetoSourceCharge
ゲート・ドレイン電荷量
GatetoDrainCharge
入力容量
InputCapacitance
帰還容量
ReverseTransferCapacitance
出力容量
OutputCapacitance
ターンオン遅延時間
Turn-ondelaytime
上昇時間
Risetime
ターンオフ遅延時間
Turn-offdelaytime
降下時間
Falltime
ダイオード逆回復時間
DiodeReverseRecoveryTime
ダイオード逆回復電荷量
DiodeReverseRecoveryCharge
VTH ID=1mA,VDS=10V
VSD
θjc
IS=90A,VGS=0V
接合部・ケース間
Junctiontocase
Qg
Qgs VDD=44V,VGS=10V,ID=90A
Qgd
Ciss
Crss VDS=25V,VGS=0V,f=1MHz
Coss
td(on)
tr ID=45A,RL=0.61Ω,VDD=27.5V,Rg=0Ω,
td(off) VGS(+)=10V,VGS(-)=0V
tf
trr
Qrr
IF=90A,VGS=0V,di/dt=100A/μs
55 ─ ─
V
──
1 μA
─ ─ ±0.1 μA
25 ─ ─
S
─
─
3.0
4.0
3.8
5.4
mΩ
1.5 2.0 2.5
─ ─ 1.5
V
─ ─ 0.97 ℃/W
─ 106 ─
─ 19 ─ nC
─ 34 ─
─ 5130 ─
─ 320 ─ pF
─ 600 ─
─ 8─
─ 40 ─
─ 103 ─
ns
─ 67 ─
─ 47 ─ ns
─ 70 ─ nC
(MOS-p〈2014.07〉)
www.shindengen.co.jp/product/semi/
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零件编号 | 描述 | 制造商 |
P90FG5R5SL | Power MOSFET ( Transistor ) | SHINDENGEN |
零件编号 | 描述 | 制造商 |
STK15C88 | 256-Kbit (32 K x 8) PowerStore nvSRAM | Cypress Semiconductor |
NJM4556 | DUAL HIGH CURRENT OPERATIONAL AMPLIFIER | New Japan Radio |
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