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零件编号 | F16F60CPM | ||
描述 | Power MOSFET ( Transistor ) | ||
制造商 | SHINDENGEN | ||
LOGO | |||
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F16F60CPM
PowerMOSFET
■外観図 OUTLINE
Package:FTO-220A(3pin)
600V16A
特長
煙高耐圧
煙低オン抵抗
煙高速スイッチング
Feature
煙 HighVoltage
煙 LowRON
煙 FastSwitching
0000
16F60CPM
Unit:mm
外形図については新電元 Webサイトをご参照下さい。捺印表示については
捺印仕様をご確認下さい。
Fordetailsoftheoutlinedimensions,refertoourweb site.Asforthe
marking,refertothespecification"Marking,TerminalConnection".
■定格表 RATINGS
●絶対最大定格 AbsoluteMaximum Ratings(指定のない場合 Tc=25℃/unlessotherwisespecified)
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
規格値
Ratings
単位
Unit
保存温度
StorageTemperature
チャネル温度
ChannelTemperature
ドレイン・ソース間電圧
Drain-SourceVoltage
ゲート・ソース間電圧
GateSourceVoltage
ドレイン電流(直流)
ContinuousDrainCurrent(DC)
ドレイン電流(ピーク)
ContinuousDrainCurrent(Peak)
ソース電流(直流)
ContinuousSourceCurrent(DC)
全損失
TotalPowerDissipation
絶縁耐圧
DielectricStrength
締め付けトルク
MountingTorque
Tstg
Tch
VDSS
VGSS
ID
IDP
IS
パルス幅 10μs,duty=1/100
Pulsewidth10µs,duty=1/100
PT
Vdis
一括端子・ケース間,AC1分間印加
Terminalstocase,AC1minute
TOR
(推奨値:0.3N・m)
(Recommendedtorque:0.3N・m)
-55~150
150
600
±30
16
48
16
55
2
0.5
℃
V
A
W
kV
N・m
●電気的・熱的特性 ElectricalCharacteristics(指定のない場合 Tc=25℃/unlessotherwisespecified)
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
規格値 Ratings 単位
MIN TYP MAX Unit
ドレイン・ソース間降伏電圧
Drain-SourceBreakdownVoltage
V(BR)DSS ID=1mA,VGS=0V
ドレイン遮断電流
ZeroGateVoltageDrainCurrent
IDSS VDS=600V,VGS=0V
ゲート漏れ電流
Gate-SourceLeakageCurrent
IGSS VGS=±30V,VDS=0V
順伝達コンダクタンス
ForwardTransconductance
gfs ID=8A,VDS=10V
ドレイン・ソース間オン抵抗
StaticDrain-SourceOn-stateResistance
R(DS)ON
ID=8A,VGS=10V
ゲートしきい値電圧
GateThresholdVoltage
VTH ID=1mA,VDS=10V
ソース・ドレイン間ダイオード順電圧
Source-DrainDiodeForwardVoltage
VSD
IS=8A,VGS=0V
熱抵抗
ThermalResistance
θjc 接合部・ケース間
Junctiontocase
ゲート全電荷量
TotalGateCharge
Qg VDD=400V,VGS=10V,ID=16A
入力容量
InputCapacitance
Ciss
帰還容量
ReverseTransferCapacitance
Crss VDS=100V,VGS=0V,f=1MHz
出力容量
OutputCapacitance
Coss
ターンオン遅延時間
Turn-ondelaytime
td(on)
上昇時間
Risetime
tr ID=8A,RL=18.75Ω,VDD=150V,Rg=50Ω,
ターンオフ遅延時間
Turn-offdelaytime
td(off) VGS(+)=10V,VGS(-)=0V
降下時間
Falltime
tf
600
─
─
7
─
2.5
─
─
─
─
─
─
─
─
─
─
──
V
─ 10
μA
─ ±0.1
14 ─
S
0.180 0.199 Ω
3.0 3.5
─ 1.5
V
─ 2.27 ℃/W
33 ─ nC
1520 ─
2.5 ─ pF
72 ─
30 ─
45 ─
125 ─
ns
40 ─
(MOS-p〈2012.06〉)(2014.04)
www.shindengen.co.jp/product/semi/
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页数 | 4 页 | ||
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零件编号 | 描述 | 制造商 |
F16F60CPM | Power MOSFET ( Transistor ) | SHINDENGEN |
零件编号 | 描述 | 制造商 |
STK15C88 | 256-Kbit (32 K x 8) PowerStore nvSRAM | Cypress Semiconductor |
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