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PDF ( 数据手册 , 数据表 ) P0R5B60HP2

零件编号 P0R5B60HP2
描述 Power MOSFET ( Transistor )
制造商 SHINDENGEN
LOGO SHINDENGEN LOGO 


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P0R5B60HP2 数据手册, 描述, 功能
Nch PowerMOSFET
P0R5B60HP2
■外観図 OUTLINE
PackageFB
Unit:mm
600V0.5A
特長
面実装タイプ
高耐圧
低ノイズ
高アバランシェ耐量、高 di/dt耐量
Feature
SMD
HighVoltage
LowNoise
HighAvalancheDurability,Highdi/dtDurability
P0RB60H2
000000
外形図については新電元 Webサイトをご参照下さい。捺印表示については
捺印仕様をご確認下さい。
Fordetailsoftheoutlinedimensions,refertoourweb site.Asforthe
marking,refertothespecification"Marking,TerminalConnection".
■定格表 RATINGS
●絶対最大定格 AbsoluteMaximum Ratings指定のない場合 Tc=25℃/unlessotherwisespecified)
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
規格値
Ratings
単位
Unit
保存温度
StorageTemperature
チャネル温度
ChannelTemperature
ドレイン・ソース間電圧
Drain-SourceVoltage
ゲート・ソース間電圧
GateSourceVoltage
ドレイン電流(直流)
ContinuousDrainCurrent(DC)
ドレイン電流(ピーク)
ContinuousDrainCurrent(Peak)
ソース電流(ピーク)
ContinuousSourceCurrentDC
全損失
TotalPowerDissipation
繰り返しアバランシェ電流
RepetitiveAvalancheCurrent
単発アバランシェエネルギー
SingleAvalancheEnergy
繰り返しアバランシェエネルギー
RepetitiveAvalancheEnergy
ドレイン・ソースダイオード di/dt耐量
Drain-SourceDiodedi/dtStrength
Tstg
Tch
VDSS
VGSS
ID
IDP
パルス幅 10μs,duty=1/100
Pulsewidth10µs,duty=1/100
IS
PT
IAR StartingTch=25℃,Tch≦150℃
EAS StartingTch=25℃,Tch≦150℃
EAR StartingTch=25℃,Tch≦150℃
di/dt Is=0.5A,Tc=25℃
-55~150
150
600
±30
0.5
2
0.5
35
0.5
5
0.5
350
V
A
W
A
mJ
mJ
A/μs
●電気的・熱的特性 ElectricalCharacteristics指定のない場合 Tc=25℃/unlessotherwisespecified)
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
規格値 Ratings 単位
MIN TYP MAX Unit
ドレイン・ソース間降伏電圧
Drain-SourceBreakdownVoltage
V(BR)DSS ID=1mA,VGS=0V
ドレイン遮断電流
ZeroGateVoltageDrainCurrent
IDSS VDS=600V,VGS=0V
ゲート漏れ電流
Gate-SourceLeakageCurrent
IGSS VGS=±25V,VDS=0V
順伝達コンダクタンス
ForwardTransconductance
gfs ID=0.25A,VDS=10V
ドレイン・ソース間オン抵抗
RStaticDrain-SourceOn-stateResistance (DS)ON
ID=0.25A,VGS=10V
ゲートしきい値電圧
GateThresholdVoltage
VTH ID=1mA,VDS=10V
ソース・ドレイン間ダイオード順電圧
Source-DrainDiodeForwardVoltage
VSD
IS= 0.25A,VGS=0V
熱抵抗
ThermalResistance
θjc 接合部・ケース間
Junctiontocase
ゲート全電荷量
TotalGateCharge
Qg VDD=400V,VGS=10V,ID=0.5A
入力容量
InputCapacitance
Ciss
帰還容量
ReverseTransferCapacitance
Crss VDS=50V,VGS=0V,f=1MHz
出力容量
OutputCapacitance
Coss
ターンオン遅延時間
Turn-ondelaytime
td(on)
上昇時間
Risetime
tr ID=0.25A,RL=600Ω,VDD=150V,Rg=50Ω,
ターンオフ遅延時間
Turn-offdelaytime
td(off) VGS(+)=10V,VGS(-)=0V
降下時間
Falltime
tf
600
0.4
3.00
0.8
8.3
3.75
4.3
120
3.3
18
9
5
26
30
─V
100
±10 μA
─S
10.0 Ω
4.50
1.5
V
3.55 ℃/W
─ nC
─ pF
ns
MOS-p2014.03〉)
www.shindengen.co.jp/product/semi/












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