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PDF ( 数据手册 , 数据表 ) MT8KTF12864HZ

零件编号 MT8KTF12864HZ
描述 1GB 1.35V DDR3L SDRAM SODIMM
制造商 Micron
LOGO Micron LOGO 


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MT8KTF12864HZ 数据手册, 描述, 功能
1GB, 2GB, 4GB (x64, SR) 204-Pin DDR3L SODIMM
Features
1.35V DDR3L SDRAM SODIMM
MT8KTF12864HZ – 1GB
MT8KTF25664HZ – 2GB
MT8KTF51264HZ – 4GB
Features
• DDR3L functionality and operations supported as
defined in the component data sheet
• 204-pin, small-outline dual in-line memory module
(SODIMM)
• Fast data transfer rates: PC3-14900, PC3-12800, or
PC3-10600
• 1GB (128 Meg x 64), 2GB (256 Meg x 64), 4GB (512
Meg x 64)
• VDD = 1.35V (1.283–1.45V)
• VDD = 1.5V (1.425–1.575V)
• Backward compatible with standard 1.5V (±0.075V)
DDR3 systems
• VDDSPD = 3.0–3.6V
• Nominal and dynamic on-die termination (ODT) for
data, strobe, and mask signals
• Single rank
• Fixed burst chop (BC) of 4 and burst length (BL) of 8
via the mode register set (MRS)
• On-board I2C serial presence-detect (SPD) EEPROM
• Gold edge contacts
• Halogen-free
• Fly-by topology
• Terminated control, command, and address bus
Figure 1: 204-Pin SODIMM (MO-268 R/C B2, B4)
Module height: 30mm (1.181in)
Options
• Operating temperature
– Commercial (0°C TA +70°C)
• Package
– 204-pin DIMM (halogen-free)
• Frequency/CAS latency
– 1.07ns @ CL = 13 (DDR3-1866)
– 1.25ns @ CL = 11 (DDR3-1600)
– 1.5ns @ CL = 9 (DDR3-1333)
Marking
None
Z
-1G9
-1G6
-1G4
Table 1: Key Timing Parameters
Speed Industry
Grade Nomenclature
-1G9
PC3-14900
-1G6
PC3-12800
-1G4
PC3-10600
-1G1
PC3-8500
-1G0
PC3-8500
-80B
PC3-6400
CL =
13
1866
CL =
11
1600
1600
Data Rate (MT/s)
CL =
10 CL = 9 CL = 8 CL = 7
1333 1333 1066 1066
1333 1333 1066 1066
1333 1333 1066 1066
– – 1066 1066
– – 1066 –
––––
CL = 6
800
800
800
800
800
800
CL = 5
667
667
667
667
667
667
tRCD
(ns)
13.125
13.125
13.125
13.125
15
15
tRP
(ns)
13.125
13.125
13.125
13.125
15
15
tRC
(ns)
47.125
48.125
49.125
50.625
52.5
52.5
PDF: 09005aef84577368
ktf8c128_256_512x64hz.pdf - Rev. K 7/15 EN
1 Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.
© 2011 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
Products and specifications discussed herein are subject to change by Micron without notice.







MT8KTF12864HZ pdf, 数据表
Functional Block Diagram
1GB, 2GB, 4GB (x64, SR) 204-Pin DDR3L SODIMM
Functional Block Diagram
Figure 2: Functional Block Diagram
S0#
DQS0#
DQS0
DM0
DQS1#
DQS1
DM1
DQS2#
DQS2
DM2
DQS3#
DQS3
DM3
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
VSS
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
VSS
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
VSS
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
VSS
DQ DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
U1
DQ
DQ
DQ
ZQ
DQ DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
U9
DQ
DQ
DQ
ZQ
DQ DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
U2
DQ
DQ
DQ
ZQ
DQ DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
U8
DQ
DQ
DQ
ZQ
DQS4#
DQS4
DM4
DQS5#
DQS5
DM5
DQS6#
DQS6
DM6
DQS7#
DQS7
DM7
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
VSS
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
VSS
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
VSS
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
VSS
DQ DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
U3
DQ
DQ
DQ
ZQ
SCL
BA[2:0]
A[15/14/13:0]
RAS#
CAS#
WE#
CKE0
ODT0
RESET#
U5
SPD EEPROM
WP A0 A1 A2
VSS SA0 SA1 VSS
SDA
BA[2:0]: DDR3 SDRAM
A[15/14/13:0]: DDR3 SDRAM
RAS#: DDR3 SDRAM
CAS#: DDR3 SDRAM
WE#: DDR3 SDRAM
CKE0: DDR3 SDRAM
ODT0: DDR3 SDRAM
RESET#: DDR3 SDRAM
DQ DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
U7
DQ
DQ
DQ
ZQ
CK0
CK0#
CK1
CK1#
DDR3 SDRAM x 8
Clock, control, command, and address line terminations:
DQ DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
U4
DQ
DQ
DQ
ZQ
CKE0, A[15/14/13:0],
RAS#, CAS#, WE#,
S0#, ODT0, BA[2:0]
CK
CK#
DDR3
SDRAM
DDR3
SDRAM
VTT
VDD
DQ DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
U6
DQ
DQ
DQ
ZQ
VDDSPD
V DD
VTT
VREFCA
VREFDQ
VSS
SPD EEPROM
DDR3 SDRAM
Control, command,
and address termination
DDR3 SDRAM
DDR3 SDRAM
DDR3 SDRAM
Note: 1. The ZQ ball on each DDR3 component is connected to an external 240Ω ±1% resistor
that is tied to ground. It is used for the calibration of the component’s ODT and output
driver.
PDF: 09005aef84577368
ktf8c128_256_512x64hz.pdf - Rev. K 7/15 EN
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MT8KTF12864HZ equivalent, schematic
1GB, 2GB, 4GB (x64, SR) 204-Pin DDR3L SODIMM
IDD Specifications
Table 17: DDR3 IDD Specifications and Conditions – 4GB (Die Revision P)
Values are for the MT41K512M8 DDR3L SDRAM only and are computed from values specified in the 1.35V 4Gb
(512 Meg x 8) component data sheet
Parameter
Symbol
1866
1600
Operating current 0: One bank ACTIVATE-to-PRECHARGE
Operating current 1: One bank ACTIVATE-to-READ-to-PRECHARGE
Precharge power-down current: Slow exit
Precharge power-down current: Fast exit
Precharge quiet standby current
Precharge standby current
Precharge standby ODT current
Active power-down current
Active standby current
Burst read operating current
Burst write operating current
Refresh current
Self refresh temperature current: MAX TC = 85°C
Self refresh temperature current (SRT-enabled): MAX TC = 95°C
All banks interleaved read current
Reset current
IDD0
IDD1
IDD2P0
IDD2P1
IDD2Q
IDD2N
IDD2NT
IDD3P
IDD3N
IDD4R
IDD4W
IDD5
IDD6
IDD6ET
IDD7
IDD8
232
352
88
88
120
136
176
120
168
816
904
1216
120
184
1168
104
224
344
80
88
120
128
160
120
160
720
808
1216
120
184
1040
104
Units
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
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零件编号描述制造商
MT8KTF12864HZ1GB 1.35V DDR3L SDRAM SODIMMMicron
Micron

零件编号描述制造商
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