|
|
零件编号 | KT209B | ||
描述 | PNP Transistor | ||
制造商 | ETC | ||
LOGO | |||
1 Page
КТ209
Данная техническая спецификация является ознакомительной и не может заменить
собой учтенный экземпляр технических условий или этикетку на изделие.
КТ209 – кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный p-n-p транзистор
• Зарубежный прототип MPS404
Назначение
Кремниевые эпитаксиально-планарные высоковольтные биполярные транзисторы.
Предназначены для использования в низкочастотных устройствах аппаратуры широкого
применения.
Особенности
• Диапазон рабочих температур от - 45 до + 100°C
Корпусное исполнение
• пластмассовый корпус КТ-26 (ТО-92)
Назначение выводов
Вывод
Назначение
№1 Эмиттер
№2 База
№3 Коллектор
Таблица 1.
Основные электрические параметры КТ209 при Токр. среды = 25 °С
Паpаметpы
Обозна-
Ед. Режимы измеpения
чение
измеp
Обратный ток коллектор-эмиттеp
Iкэr мкА Uкэ=Uкэ max, Rбэ=10кОм
Обратный ток эмиттеpа
Iэбo мкА Uэб=Uэб max
Статический коэффициент передачи тока
КТ209Б1 КТ209В1
h21Е
Uкэ=-1B, Iк=-30мA Uкэ=-
1B,Iк=-0,2мA
Напряжение насыщения коллектор- эмиттер
Напряжение насыщения база - эмиттер
Модуль коэффициента передачи тока
Uкэ(нас)
Uбэ(нас)
/ h21Е /
В Iк=-300мА,Iб=-30мA
В Iк=-300мА,Iб=-30мA
Uкб=-5B,Iэ=-10мA, f=20MГц
Min
Max -1,0 -
1,0
-20
-12 -
30
2
-240
-
-
-0,4
-1,5
|
|||
页数 | 3 页 | ||
下载 | [ KT209B.PDF 数据手册 ] |
零件编号 | 描述 | 制造商 |
KT209 | PNP Transistor | ETC |
KT209 | PNP Transistor | Integral |
KT209A | PNP Transistor | ETC |
KT209A | PNP Transistor | Integral |
零件编号 | 描述 | 制造商 |
STK15C88 | 256-Kbit (32 K x 8) PowerStore nvSRAM | Cypress Semiconductor |
NJM4556 | DUAL HIGH CURRENT OPERATIONAL AMPLIFIER | New Japan Radio |
EL1118-G | 5 PIN LONG CREEPAGE SOP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER | Everlight |
DataSheet8.cn | 2020 | 联系我们 | 搜索 | Simemap |