DataSheet8.cn


PDF ( 数据手册 , 数据表 ) KT209B

零件编号 KT209B
描述 PNP Transistor
制造商 ETC
LOGO ETC LOGO 


1 Page

No Preview Available !

KT209B 数据手册, 描述, 功能
КТ209
Данная техническая спецификация является ознакомительной и не может заменить
собой учтенный экземпляр технических условий или этикетку на изделие.
КТ209 – кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный p-n-p транзистор
• Зарубежный прототип MPS404
Назначение
Кремниевые эпитаксиально-планарные высоковольтные биполярные транзисторы.
Предназначены для использования в низкочастотных устройствах аппаратуры широкого
применения.
Особенности
• Диапазон рабочих температур от - 45 до + 100°C
Корпусное исполнение
• пластмассовый корпус КТ-26 (ТО-92)
Назначение выводов
Вывод
Назначение
№1 Эмиттер
№2 База
№3 Коллектор
Таблица 1.
Основные электрические параметры КТ209 при Токр. среды = 25 °С
Паpаметpы
Обозна-
Ед. Режимы измеpения
чение
измеp
Обратный ток коллектор-эмиттеp
Iкэr мкА Uкэ=Uкэ max, Rбэ=10кОм
Обратный ток эмиттеpа
Iэбo мкА Uэб=Uэб max
Статический коэффициент передачи тока
КТ209Б1 КТ209В1
h21Е
Uкэ=-1B, Iк=-30мA Uкэ=-
1B,Iк=-0,2мA
Напряжение насыщения коллектор- эмиттер
Напряжение насыщения база - эмиттер
Модуль коэффициента передачи тока
Uкэ(нас)
Uбэ(нас)
/ h21Е /
В Iк=-300мА,Iб=-30мA
В Iк=-300мА,Iб=-30мA
Uкб=-5B,Iэ=-10мA, f=20MГц
Min
Max -1,0 -
1,0
-20
-12 -
30
2
-240
-
-
-0,4
-1,5












页数 3 页
下载[ KT209B.PDF 数据手册 ]


分享链接

Link :

推荐数据表

零件编号描述制造商
KT209PNP TransistorETC
ETC
KT209PNP TransistorIntegral
Integral
KT209APNP TransistorETC
ETC
KT209APNP TransistorIntegral
Integral

零件编号描述制造商
STK15C88256-Kbit (32 K x 8) PowerStore nvSRAMCypress Semiconductor
Cypress Semiconductor
NJM4556DUAL HIGH CURRENT OPERATIONAL AMPLIFIERNew Japan Radio
New Japan Radio
EL1118-G5 PIN LONG CREEPAGE SOP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLEREverlight
Everlight


DataSheet8.cn    |   2020   |  联系我们   |   搜索  |  Simemap