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PDF ( 数据手册 , 数据表 ) 3DD128FH3D

零件编号 3DD128FH3D
描述 Silicon NPN Transistor
制造商 Huajing Microelectronics
LOGO Huajing Microelectronics LOGO 


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3DD128FH3D 数据手册, 描述, 功能
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
3DD128F H3D
R
产品概述
3DD128F H3D
NPN 型功率开关晶体管,
产品采用平面工艺寿
命控制技术,集成了源抗
饱和网络提高了产品
穿电压、开关速和可靠
性。
产品特点
开关损
反向漏电流小
特性好
合适开关速
可靠性高
应用
紧凑型电子节能灯
电子镇流器
一般功率开关
特征参数
符号
额定值
VCEO
IC
Ptot TC=25℃)
200
3.5
40
单位
V
A
W
封装 TO-251
存储条件和焊接温度
存放有效期
存放条件
极限耐焊接热
环境温度-10℃~40
1 265
相对湿度 <85
内部结构图
C
B
极限值
除非另有规定,Ta= 25
参数名称
集电极-基 极电压
集电极-发射极电压
发射极-基 极电压
集电极直流电流
集电极脉冲电流(tp5ms
基极直流电流
基极脉冲电流(tp5ms
耗散功率
结温
贮存温度
热阻
参数名称
结到壳的热阻
结到环境的热阻
Ta=25
Tc=25
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
IBM
Ptot
Tj
Tstg
E
额定值
350
200
9
3.5
7
1.75
3.5
1.3
40
150
-55150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
符号
RθJC
RθJA
最小值
典型值
最大值
3.1
96
单位
/W
/W
无锡华润华晶微电子有限公司
2012
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零件编号描述制造商
3DD128FH3DSilicon NPN TransistorHuajing Microelectronics
Huajing Microelectronics

零件编号描述制造商
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