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零件编号 | BU103T | ||
描述 | NPN Transistor | ||
制造商 | Crystal Electronics | ||
LOGO | |||
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BU103T
硅 NPN 大功率晶体管
* 主要用途 :
电子镇流器、节能灯、充电器及各类功率开关电路。
* 主要特点:
硅三重扩散平面工艺、输出特性好、电流容量大。
* 封装形式:
TO-92
极限值:( Tc=25 ℃ )
参 数 名称
集电极-发射极击穿电压
集电极-基极击穿电压
发射极-基极击穿电压
最大集电极直流电流
最大耗散功率
最高结温
贮存温度
符号
BVCEO
BVCBO
BVEBO
Icm
Pcm
Tjm
Tstg
TO-92
1. 基极 2. 集电极 3. 发射极
BC
E
额定值
≥ 400
≥ 600
≥9
1.5
25
150
- 55 ~ 150
单位
V
V
V
A
W
℃
℃
电特性: ( Tc=25 ℃ )
参数名称
集电极-发射极击穿电压
集电极-基极击穿电压
发射极-基极击穿电压
集电极-发射极反向漏电流
集电极-基极反向漏电流
发射极-基极反向漏电流
共发射极直流电流增益
集电极-发射极饱和压降
下降时间
特征频率
符号
BVCEO
BVCBO
BVEBO
ICEO
ICBO
IEBO
HFE
VCE (sat)
tf
fT
测试条件
IC=1mA;
IB=0
IC=1mA;
IE=0
IE=1mA;
IC=0
VCE=350V; IB=0
VCB=550V; IE=0
VEB=7V;
IC=0
VCE=5V; IC=0.2A
IC=1A; IB=0.5A
IC=1A;IB1=IB2=0.2A;VCE=300V
VCE=10V;IC=0.1A;f =1MHz
规范值
最小值 最大值
400
600
9
20
10
10
10 35
0.6
0.3
8
单位
V
V
V
uA
uA
uA
V
uS
MHz
深圳市晶导电子有限公司
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页数 | 3 页 | ||
下载 | [ BU103T.PDF 数据手册 ] |
零件编号 | 描述 | 制造商 |
BU103A | Silicon NPN Power Transistor | Inchange Semiconductor |
BU103T | NPN Transistor | Crystal Electronics |
BU103T | NPN Transistor | BrightMoon |
BU103T | Bipolar Junction Transistor | Jingdao |
零件编号 | 描述 | 制造商 |
STK15C88 | 256-Kbit (32 K x 8) PowerStore nvSRAM | Cypress Semiconductor |
NJM4556 | DUAL HIGH CURRENT OPERATIONAL AMPLIFIER | New Japan Radio |
EL1118-G | 5 PIN LONG CREEPAGE SOP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER | Everlight |
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