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PDF GT10Q101 ( 数据表 )

零件编号 功能 ( 描述 ) 制造商 PDF
1 GT10Q101   High Power Switching Applications

GT10Q101 Preliminary TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT GT10Q101 High Power Switching Applications Unit: mm • • • • The 3rd Generation Enhancement-Mo

Toshiba Semiconductor
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GT10Q10 数据手册 - 完全等于

零件编号 描述 制造商 PDF
GT10Q101 High Power Switching Applications Toshiba Semiconductor
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